DiodesZetex Isoliert N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 7.6 A 1.16 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
823-3223P
Herst. Teile-Nr.:
DMN2041LSD-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

41mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.2nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.16W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

-12, +12V

Durchlassspannung Vf

0.7V

Maximale Betriebstemperatur

+150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Normen/Zulassungen

MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020, UL 94V-0

Höhe

1.5mm

Breite

3.95mm

Länge

4.95mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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