onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 220 A 283 W, 3-Pin D2PAK
- RS Best.-Nr.:
- 823-4157
- Herst. Teile-Nr.:
- NVB5860NT4G
- Marke:
- onsemi
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- 823-4157
- Herst. Teile-Nr.:
- NVB5860NT4G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 220 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Verlustleistung max. | 283 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 180 nC @ 10 V | |
| Länge | 10.29mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 9.65mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 220 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße D2PAK | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 3 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Verlustleistung max. 283 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 180 nC @ 10 V | ||
Länge 10.29mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 9.65mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||