Infineon OptiMOS 3 IPP057N06N3GHKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 80 A 115 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 823-5550
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP057N06N3GHKSA1
- Marke:
- Infineon
Bestandsabfrage leider nicht möglich
- RS Best.-Nr.:
- 823-5550
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP057N06N3GHKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 80 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 5,7 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 115 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.57mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 61 nC @ 10 V | |
| Länge | 10.36mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 80 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 5,7 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 115 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.57mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 61 nC @ 10 V | ||
Länge 10.36mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 15.95mm | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN