Infineon CoolMOS E6 IPD65R600E6BTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 7,3 A 63 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
823-5591
Herst. Teile-Nr.:
IPD65R600E6BTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

7,3 A

Drain-Source-Spannung max.

700 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1,4 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

63 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Länge

6.73mm

Breite

6.22mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

23 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Serie

CoolMOS E6

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

2.41mm

Ursprungsland:
MY