Texas Instruments FemtoFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.1 A 500 mW, 3-Pin PICOSTAR
- RS Best.-Nr.:
- 823-9240
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD17381F4T
- Marke:
- Texas Instruments
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | FemtoFET | |
| Gehäusegröße | PICOSTAR | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 250mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.04nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Durchlassspannung Vf | 0.73V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -12, +12V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 1.04mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.35mm | |
| Breite | 0.64mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie FemtoFET | ||
Gehäusegröße PICOSTAR | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 250mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.04nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Durchlassspannung Vf 0.73V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -12, +12V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 1.04mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.35mm | ||
Breite 0.64mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET FemtoFET™, Texas Instruments
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