FemtoFET CSD25483F4T P-Kanal MOSFET, 20 V / 1,6 A, 500 mW, PICOSTAR 3-Pin

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RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

P-Kanal-Leistungs-MOSFET FemtoFET™, Texas Instruments

MOSFET-Transistoren, Texas Instruments

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ P
Dauer-Drainstrom max. 1,6 A
Drain-Source-Spannung max. 20 V
Gehäusegröße PICOSTAR
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 1,07 Ω
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 1.2V
Gate-Schwellenspannung min. 0.7V
Verlustleistung max. 500 mW
Transistor-Konfiguration Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur max. +150 °C
Serie FemtoFET
Länge 1.04mm
Breite 0.64mm
Höhe 0.35mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 0,959 nC @ 4,5 V
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur min. -55 °C
170 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 10)
0,241
(ohne MwSt.)
0,287
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 10
0,241 €
2,41 €
20 - 40
0,229 €
2,29 €
50 - 90
0,218 €
2,18 €
100 - 490
0,193 €
1,93 €
500 +
0,169 €
1,69 €
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich.
Aufgrund zeitweiliger Lieferengpässe sind über die verfügbare Menge hinaus Vorbestellungen nicht möglich
Verpackungsoptionen: