Infineon CoolMOS C7 IPB65R190C7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 13 A 72 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
825-9092
Herst. Teile-Nr.:
IPB65R190C7ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

13 A

Drain-Source-Spannung max.

700 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

190 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

72 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.31mm

Breite

9.45mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

23 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

4.57mm

Serie

CoolMOS C7

RoHS Status: Ausgenommen