Infineon OptiMOS P BSO301SPHXUMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14,9 A 2,5 W, 8-Pin DSO

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825-9109
Herst. Teile-Nr.:
BSO301SPHXUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

14,9 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

DSO

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

12 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

102 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

1.65mm

Serie

OptiMOS P

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Die Infineon BSO301SP H OptiMOS-Familien umfassen P-Kanal-Leistungs-MOSFETs. Diese Geräte erfüllen durchgängig die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in wichtigen Spezifikationen für das Design von Stromversorgungssystemen wie z. B. Betriebswiderstand und Leistungskennzahl.

P-Kanal
Enhancement-Modus
Logikpegel
150 °C Betriebstemperatur