Infineon OptiMOS T2 IPG20N04S412ATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 20 A 41 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 825-9115
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N04S412ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 480 | 0,722 € | 14,44 € |
| 500 - 980 | 0,692 € | 13,84 € |
| 1000 + | 0,665 € | 13,30 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 825-9115
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N04S412ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 20 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 12,2 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 41 W | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 5.15mm | |
| Breite | 6.15mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 14 nC @ 10 V | |
| Höhe | 1mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Serie | OptiMOS T2 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 20 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 12,2 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 41 W | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 5.15mm | ||
Breite 6.15mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 14 nC @ 10 V | ||
Höhe 1mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Serie OptiMOS T2 | ||
RoHS Status: Ausgenommen