Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 7 A 34 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 825-9146P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC22DN20NS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 225mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 34W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.2nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.35mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 225mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 34W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.2nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.35mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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