Infineon CoolMOS C3 IPD90R1K2C3BTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 900 V / 5,1 A 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

5,1 A

Drain-Source-Spannung max.

900 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

2,5 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

83 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Breite

6.22mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

28 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

6.73mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

2.41mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

CoolMOS C3