Infineon OptiMOS 3 BSZ12DN20NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 11,3 A 50 W, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 825-9257
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ12DN20NS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
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- BSZ12DN20NS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 11,3 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 200 V | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 125 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 50 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 6,5 nC bei 10 V | |
| Breite | 3.4mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 3.4mm | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 11,3 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 200 V | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 125 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 50 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 6,5 nC bei 10 V | ||
Breite 3.4mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 3.4mm | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 1.1mm | ||
RoHS Status: Ausgenommen