Infineon OptiMOS 3 BSZ42DN25NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 5 A 33,8 W, 8-Pin TSDSON

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RS Best.-Nr.:
825-9382
Herst. Teile-Nr.:
BSZ42DN25NS3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

5 A

Drain-Source-Spannung max.

250 V

Gehäusegröße

TSDSON

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

425 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

33,8 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

3.4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

4,2 nC @ 10 V

Breite

3.4mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

OptiMOS 3

Höhe

1.1mm

Ursprungsland:
MY