ROHM Einfach Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Erweiterung / 20 A 50 W, 3-Pin TO-220FM
- RS Best.-Nr.:
- 826-7541
- Herst. Teile-Nr.:
- R6020ENX
- Marke:
- ROHM
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220FM | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 200mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 4.8 mm | |
| Höhe | 15.4mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220FM | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 200mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 4.8 mm | ||
Höhe 15.4mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- TH
N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
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