ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,5 A 1 W, 6-Pin TUMT6
- RS Best.-Nr.:
- 826-7804
- Herst. Teile-Nr.:
- RUL035N02TR
- Marke:
- ROHM
Nicht verfügbar
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- 826-7804
- Herst. Teile-Nr.:
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- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 3,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | TUMT6 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 93 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 1 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -10 V, +10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 1.8mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 5,7 nC @ 4,5 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 2.1mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 0.82mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 3,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße TUMT6 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 93 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1V | ||
Verlustleistung max. 1 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -10 V, +10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 1.8mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 5,7 nC @ 4,5 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 2.1mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 0.82mm | ||
- Ursprungsland:
- TH