ROHM P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 2,5 A 1 W, 3-Pin TSMT
- RS Best.-Nr.:
- 826-7835
- Herst. Teile-Nr.:
- RZR025P01TL
- Marke:
- ROHM
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 826-7835
- Herst. Teile-Nr.:
- RZR025P01TL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 12 V | |
| Gehäusegröße | TSMT | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 220 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 1 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -10 V, +10 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 13 nC @ 4,5 V | |
| Länge | 2.9mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 1.6mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 2,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 12 V | ||
Gehäusegröße TSMT | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 220 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1V | ||
Verlustleistung max. 1 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -10 V, +10 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 13 nC @ 4,5 V | ||
Länge 2.9mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 1.6mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 0.85mm | ||
- Ursprungsland:
- TH