Infineon SIPMOS BSS126H6327XTSA2 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 17 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 826-8245
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS126H6327XTSA2
- Marke:
- Infineon
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- BSS126H6327XTSA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 17 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 700 Ω | |
| Channel-Modus | Depletion | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.6V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.7V | |
| Verlustleistung max. | 500 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 2.9mm | |
| Breite | 1.3mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1,4 nC bei 5 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 1mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 17 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 700 Ω | ||
Channel-Modus Depletion | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.6V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.7V | ||
Verlustleistung max. 500 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 2.9mm | ||
Breite 1.3mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 1,4 nC bei 5 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Serie SIPMOS | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 1mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.