Infineon OptiMOS T2 IPB80N06S405ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 107 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
826-8995
Herst. Teile-Nr.:
IPB80N06S405ATMA2
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

5,7 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

107 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

9.25mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

62 nC @ 10 V

Länge

10mm

Höhe

4.4mm

Serie

OptiMOS T2

Betriebstemperatur min.

-55 °C

RoHS Status: Ausgenommen