Infineon OptiMOS P IPD50P03P4L11ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 50 A 58 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 826-9159
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50P03P4L11ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- IPD50P03P4L11ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 50 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 18 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 58 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –16 V, +5 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 6.22mm | |
| Länge | 6.5mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 50 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 18 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 58 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –16 V, +5 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 6.22mm | ||
Länge 6.5mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 42 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Serie OptiMOS P | ||
Höhe 2.3mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
RoHS Status: Ausgenommen