Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.17 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 826-9238P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP315PH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (50 Stück, auf Gurtabschnitt geliefert)*
23,25 €
(ohne MwSt.)
27,65 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 9.650 Einheit(en) mit Versand ab 05. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 + | 0,465 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 826-9238P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP315PH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 800mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.8W | |
| Durchlassspannung Vf | -0.97V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.5mm | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie SIPMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 800mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.8W | ||
Durchlassspannung Vf -0.97V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.2nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.5mm | ||
Höhe 1.6mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,8 W maximale Verlustleistung - BSP315PH6327XTSA1
Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor, der für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in Automobil- und Industrieumgebungen entwickelt wurde. Er bietet eine moderate Strom- und Spannungsbelastbarkeit für Lastschaltvorgänge und Verpolungsschutz in kompakten Baugruppen und eignet sich für Umgebungen, die einen erweiterten Temperaturbetrieb erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 60 V Drain-Source-Nennleistung für Schaltfähigkeit bei mittlerer Spannung
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 1,17 A für die Stromversorgung mit kleinen Signalen
• 800 mΩ maximaler RDS(on) für reduzierte Leitungsverluste
• 5,2 nC typische Gate-Ladung für effiziente Gate-Ansteuerung
• 1,8 W Verlustleistung für dauerhaften Betrieb mit geringem Stromverbrauch
• AEC-Q101-Qualifizierung für Belastungstoleranz in Automobilqualität
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 1,17 A für die Stromversorgung mit kleinen Signalen
• 800 mΩ maximaler RDS(on) für reduzierte Leitungsverluste
• 5,2 nC typische Gate-Ladung für effiziente Gate-Ansteuerung
• 1,8 W Verlustleistung für dauerhaften Betrieb mit geringem Stromverbrauch
• AEC-Q101-Qualifizierung für Belastungstoleranz in Automobilqualität
Anwendungsbereich
• Geeignet für das Schalten der Batterieladung in Fahrzeugen
• Ideal für den Verpolungsschutz in der Automobilelektronik
• Wird mit stromsparenden DC/DC-Wandlern für High-Side-Schaltvorgänge verwendet
• Kann zur Lasttrennung in Telematikmodulen verwendet werden
• Geeignet für kompakte Leistungssteuerungsplatinen, die eine Oberflächenmontage erfordern
• Ideal für den Verpolungsschutz in der Automobilelektronik
• Wird mit stromsparenden DC/DC-Wandlern für High-Side-Schaltvorgänge verwendet
• Kann zur Lasttrennung in Telematikmodulen verwendet werden
• Geeignet für kompakte Leistungssteuerungsplatinen, die eine Oberflächenmontage erfordern
In welchem Temperaturbereich kann das Gerät betrieben werden?
Es ist spezifiziert für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C und eignet sich für Umgebungen mit hohen Temperaturen.
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird verwendet?
Das Gerät wird in einem SOT-223-Gehäuse geliefert und ist für die Oberflächenmontage vorgesehen.
Wie viele Stifte sind für Schaltkreisanschlüsse verfügbar?
Es verfügt über vier Stifte zur Aufnahme von Quellen-, Ablass-, Gate- und Montage-/Kontaktanordnungen.
Welche maximale Gate-Spannung sollte während des Gebrauchs eingehalten werden?
Die Gate-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um eine Belastung des Geräts zu vermeiden.