Infineon SIPMOS BSS84PH6433XTMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 170 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 826-9266
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS84PH6433XTMA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
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- Herst. Teile-Nr.:
- BSS84PH6433XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 170 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 8 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 360 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 1.3mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1 nC @ 10 V | |
| Länge | 2.9mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Serie | SIPMOS | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 1mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 170 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 8 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 360 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 1.3mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 1 nC @ 10 V | ||
Länge 2.9mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Serie SIPMOS | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 1mm | ||
Infineon SIPMOS® P-Kanal-MOSFETs
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· AEC Q101-qualifiziert (siehe Datenblatt)
· Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform
MOSFET-Transistoren, Infineon
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