Infineon OptiMOS T2 IPB45N06S4L08ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 45 A 71 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
826-9446
Herst. Teile-Nr.:
IPB45N06S4L08ATMA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

45 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

13,7 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

71 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +16 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

49 nC @ 10 V

Länge

10mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

9.25mm

Höhe

4.4mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

OptiMOS T2

RoHS Status: Ausgenommen