Infineon SIPMOS N-Kanal, SMD MOSFET 240 V / 260 mA 1 W, 3-Pin SOT-89
- RS Best.-Nr.:
- 827-0074
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS87H6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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- 827-0074
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 260 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 240 V | |
| Gehäusegröße | SOT-89 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 7,5 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.8V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.8V | |
| Verlustleistung max. | 1 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Breite | 2.5mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 4.5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 3,7 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 260 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 240 V | ||
Gehäusegröße SOT-89 | ||
Serie SIPMOS | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 7,5 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.8V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.8V | ||
Verlustleistung max. 1 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Breite 2.5mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 4.5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 3,7 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 1.5mm | ||
N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.