DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 9.3 A 1.7 W, 7-Pin UDFN

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RS Best.-Nr.:
827-0462
Herst. Teile-Nr.:
DMN2014LHAB-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

UDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

28mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

1.7W

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202

Höhe

0.6mm

Breite

2.05 mm

Länge

3.05mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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