DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 4.1 A 1.5 W, 8-Pin SOIC

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Herst. Teile-Nr.:
DMN6070SSD-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

100mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.6nC

Durchlassspannung Vf

0.75V

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Normen/Zulassungen

J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202

Länge

4.95mm

Höhe

1.5mm

Breite

3.95 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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