Infineon Isoliert HEXFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 3.5 A 2 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 827-3934P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9952TRPBF
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme 20 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
11,44 €
(ohne MwSt.)
13,62 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 3.620 Einheit(en) mit Versand ab 12. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 20 + | 0,572 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 827-3934P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9952TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 400mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.1nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 400mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.1nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 2,3A/3,5A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2W maximale Verlustleistung - IRF9952TRPBF
Dieser vielseitige MOSFET bietet eine hohe Leistung in einem kompakten Gehäuse, in dem sowohl N-Kanal- als auch P-Kanal-Konfigurationen integriert sind. Es ist für den effektiven Einsatz in verschiedenen elektronischen Anwendungen konzipiert und gewährleistet Effizienz und Zuverlässigkeit. Mit einem maximalen Drain-Strom von 3,5 A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 30 V ist er für Anwendungen geeignet, die robuste Schaltfunktionen erfordern.
Eigenschaften und Vorteile
• Zweikanalige Konfiguration erhöht die Designflexibilität
• Oberflächenmontage vereinfacht die PCB-Bestückung
• Niedriger Widerstand (150mΩ und 400mΩ) reduziert den Leistungsverlust
• Hochtemperaturbetrieb (+150°C) gewährleistet Zuverlässigkeit unter extremen Bedingungen
• Verbesserte Gate-Ladungscharakteristik erhöht die Schalteffizienz
• Isolierte Transistorkonfiguration minimiert das Übersprechen für sauberere Signale
Anwendungsbereich
• Lösungen für das Energiemanagement
• Elektrische Fahrzeugsysteme für mehr Effizienz
• Industrielle Automatisierung und Steuerung
• Erneuerbare Energiesysteme für optimale Leistung
• Unterhaltungselektronik für verbesserte Geräteleistung
Welchen Nutzen hat die Isolierung dieses Geräts für meine Anwendung?
Die isolierte Konfiguration minimiert Interferenzen zwischen den Schaltkreisen, gewährleistet saubere Signale und verhindert unerwünschte Wechselwirkungen zwischen den Komponenten.
Welchen Temperaturbereich kann dieses Gerät im Betrieb bewältigen?
Er kann in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C betrieben werden und ist damit für extreme Bedingungen geeignet.
Kann ich dieses Produkt in meinem oberflächenmontierten PCB-Design verwenden?
Ja, das oberflächenmontierbare Design ermöglicht eine einfache Integration in PCB-Layouts, optimiert den Platzbedarf und verbessert die thermische Leistung.
Welche Faktoren sollte ich beachten, wenn ich sie für Schaltanwendungen verwende?
Stellen Sie sicher, dass die maximale Gate-Source-Spannung von ±20 V nicht überschritten wird, und überprüfen Sie, ob die Gate-Ladung mit Ihrer Schaltfrequenz übereinstimmt, um eine optimale Leistung zu erzielen.
Wie wirken sich die Spezifikationen auf meine Energieeffizienz aus?
Mit seinem niedrigen Durchlasswiderstand und dem hohen kontinuierlichen Drain-Strom trägt dieser MOSFET zu einer minimalen Verlustleistung bei und verbessert so die Gesamtenergieeffizienz in Ihren Schaltungsdesigns.