Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 98 A 650 W, 3-Pin TO-273AA
- RS Best.-Nr.:
- 827-3950
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFBA90N20DPBF
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 827-3950
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFBA90N20DPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 98 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 200 V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-273AA | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 23 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 650 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 5mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 160 nC @ 10 V | |
| Länge | 11mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Höhe | 16.5mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 98 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 200 V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-273AA | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 23 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 650 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 5mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 160 nC @ 10 V | ||
Länge 11mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Höhe 16.5mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
- Ursprungsland:
- MX