Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 21 A 2,1 W, 6-Pin DFN2020
- RS Best.-Nr.:
- 827-3969
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFHS8242TRPBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 0,198 € | 9,90 € |
| 250 - 950 | 0,168 € | 8,40 € |
| 1000 - 2450 | 0,148 € | 7,40 € |
| 2500 + | 0,136 € | 6,80 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 827-3969
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFHS8242TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 21 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 25 V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | DFN2020 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 21 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.35V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.35V | |
| Verlustleistung max. | 2,1 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 2.1mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 10,4 nC @ 10 V | |
| Länge | 2.1mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 21 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 25 V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße DFN2020 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 21 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.35V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.35V | ||
Verlustleistung max. 2,1 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 2.1mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 10,4 nC @ 10 V | ||
Länge 2.1mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN