Infineon HEXFET IRFL024NTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 4 A 2,1 W, 3 + Tab-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
827-3997
Herst. Teile-Nr.:
IRFL024NTRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

4 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Gehäusegröße

SOT-223

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3 + Tab

Drain-Source-Widerstand max.

75 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

2,1 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

18,3 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

6.7mm

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

3.7mm

Höhe

1.8mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

HEXFET

Ursprungsland:
MY