Infineon HEXFET IRFL4315PBF N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 2,6 A 2,8 W, 3 + Tab-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
827-4007
Herst. Teile-Nr.:
IRFL4315PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

2,6 A

Drain-Source-Spannung max.

150 V

Gehäusegröße

SOT-223

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3 + Tab

Drain-Source-Widerstand max.

185 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

2,8 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

3.7mm

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

6.7mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

12 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Serie

HEXFET

Höhe

1.8mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 2,6A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2,8W maximale Verlustleistung - IRFL4315TRPBF


Dieser MOSFET eignet sich für Leistungsanwendungen und bietet eine solide Leistung und erhöhte Zuverlässigkeit in verschiedenen Umgebungen. Als Schlüsselkomponente in Schaltanwendungen ermöglicht sie eine effiziente Steuerung der Leistungsabgabe. Durch sein oberflächenmontiertes Design eignet er sich gut für Hochleistungsschaltungen, die eine niedrige Gate-to-Drain-Ladung erfordern, wodurch Schaltverluste minimiert werden, was für Anwender in der Automatisierungs- und Elektronikindustrie von Vorteil ist.

Eigenschaften und Vorteile


• Kontinuierlicher Ableitstrom von 2,6 A für eine Reihe von Anwendungen

• Maximale Drain-Source-Spannung von 150 V erleichtert den Betrieb mit hoher Leistung

• Niedriger Rds(on) von 185mΩ verbessert die Energieeffizienz

• Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +150°C für zuverlässige Leistung

• Optimierte Gate-Schwellenspannung für einfacheren Schaltungsentwurf

• Vollständig charakterisierte Lawineneigenschaften bieten zusätzlichen Schutz

Anwendungsbereich


• Hochfrequenz-DC-DC-Wandler

• Energiemanagementsysteme für mehr Effizienz

• Schaltnetzteile für mehr Leistung

Welche Bedeutung hat der niedrige Rds(on)-Wert?


Ein niedriger Rds(on) verringert die Leistungsverluste während des Betriebs und verbessert die Gesamteffizienz bei verschiedenen Anwendungen.

Wie wirkt sich der große Temperaturbereich auf die Nutzung aus?


Der weite Betriebstemperaturbereich sorgt für eine zuverlässige Leistung unter extremen Bedingungen und macht das Gerät für verschiedene Umgebungen geeignet.

Kann es sowohl für Hoch- als auch für Niederfrequenzanwendungen verwendet werden?


Ja, er eignet sich sowohl für Hochfrequenz-DC-DC-Wandler als auch für Anwendungen, die ein Schalten mit niedrigen Frequenzen erfordern.

Was ist bei der Installation zu beachten?


Um die Leistung während der Installation zu optimieren, sollten die richtige Schaltungsanordnung und das Wärmemanagement berücksichtigt werden.

Welchen Einfluss hat die Gate-Schwellenspannung auf die Schaltungsentwicklung?


Die Gate-Schwellenspannung ermöglicht eine bessere Kontrolle des Schaltverhaltens und erleichtert die Entwicklung der Treiberschaltung.