Infineon HEXFET IRFP4710PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 72 A 190 W, 3-Pin TO-247AC

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
827-4010
Herst. Teile-Nr.:
IRFP4710PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

72 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

TO-247AC

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

14 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3.5V

Verlustleistung max.

190 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

5.3mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

15.9mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

110 nC @ 10 V

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

HEXFET

Höhe

20.3mm

Ursprungsland:
MX
Der Infineon IRFP4710 ist der 100-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-247AC-Gehäuse. Dieses Gerät wird für hochfrequente DC/DC-Wandler und Motorsteuerung verwendet.

Vollständig charakterisierte Lawinenspannung und -strom
Ohne Leitung
Niedriger Gatter zum Ablassen der Ladung zur Reduzierung von Schaltverlusten