Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 56 A 50 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
827-4057
Herst. Teile-Nr.:
IRFR3707ZTRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

56 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Serie

HEXFET

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

12,5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.25V

Gate-Schwellenspannung min.

1.35V

Verlustleistung max.

50 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

6.73mm

Breite

6.22mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

9,6 nC @ 4,5 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

2.39mm

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon


Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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