Infineon HEXFET IRFS3607TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 80 A 140 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
827-4108
Herst. Teile-Nr.:
IRFS3607TRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

75 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

9 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

140 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

9.65mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.67mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

56 nC @ 10 V

Höhe

4.83mm

Serie

HEXFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Der Infineon IRFS3607 ist der 75-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse. Es wird für die hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS verwendet.

Verbesserte Widerstandsfähigkeit gegen Gate, Lawinen und dynamische dv/dt
Voll charakterisierte Kapazität und Avalanche-SOA