Texas Instruments Einfach NexFET Typ N, Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 100 V Erweiterung /
- RS Best.-Nr.:
- 827-4919P
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD19536KCS
- Marke:
- Texas Instruments
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- Texas Instruments
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 259A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | NexFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 118nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | -5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Breite | 4.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 16.51mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 259A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie NexFET | ||
Montageart Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 118nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf -5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Breite 4.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 16.51mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-NexFETTM-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments
MOSFET-Transistoren, Texas Instruments
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