Texas Instruments NexFET CSD86330Q3D N-Kanal Dual, SMD MOSFET-Modul 20 V / 60 A 6 W, 8-Pin SON

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
827-4934
Herst. Teile-Nr.:
CSD86330Q3D
Marke:
Texas Instruments
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Marke

Texas Instruments

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

60 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

SON

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

3,3 mΩ, 8,8 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.1V

Gate-Schwellenspannung min.

0.9V

Verlustleistung max.

6 W

Transistor-Konfiguration

Serie

Gate-Source Spannung max.

+8 V

Breite

3.4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

4,8 nC @ 4,5 V, 9,2 nC @ 4,5 V

Länge

3.4mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

NexFET

Höhe

1.5mm