Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 30 A 136 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 827-5120
Herst. Teile-Nr.:: IPD30N08S2L21ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 30 A 136 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:: 827-5120
Herst. Teile-Nr.:: IPD30N08S2L21ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	30A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	75V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	OptiMOS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	26mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Maximale Verlustleistung Pd	136W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	56nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	6.22mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	2.41mm
	Länge	6.73mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 75V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie OptiMOS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 26mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Maximale Verlustleistung Pd 136W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 6.22mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 2.41mm
	Länge 6.73mm
	Automobilstandard AEC-Q101

RoHS Status: Nicht zutreffend

MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 75 V maximale Drain-Source-Spannung, 30 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD30N08S2L21ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Leistungsschalttransistor, der für anspruchsvolle elektronische Systeme entwickelt wurde und eine kontrollierte Leitung zwischen Drain und Quelle in N-Kanal-Enhancement-Modus-Konfigurationen bietet. Er ist für die Oberflächenmontage in kompakten Leistungsdesigns und für den Einsatz vorgesehen, wo hohe Betriebstemperaturen und eine Qualifizierung in Automobilqualität erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• 75 V Ablassspannung ermöglicht robuste Hochspannungsschaltung
• 30 A Dauerstrom unterstützen eine erhebliche Lastübertragung
• Niedrige Rds(on) von 26 mΩ zur Verringerung der Leitungsverluste
• 136 W Verlustleistung, was die thermische Spanne in Designs unterstützt
• 56 nC typische Gate-Ladung verbessert die Steuerung der Schaltgeschwindigkeit
• Gate-Toleranz von ±20 V ermöglicht flexible Gate-Drive-Schemata

Anwendungsbereich

• Geeignet für Kfz-DC/DC-Wandlerstufen
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Verwendung mit Motorantriebs-Wechselrichter-Frontend-Schaltkreisen
• Kann für hocheffiziente Point-of-Load-Wandler verwendet werden
• Geeignet für das Energiemanagement auf Platinenebene in Fahrzeugen

Welche Verpackungsart sollten Entwickler für das Leiterplatten-Layout erwarten?

Das Gerät wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist, was das Design des Erdungsmusters und des Thermopads beeinflusst.

Wie verhält sich das Gerät unter extremen Umgebungsbedingungen?

Er ist für den Betrieb in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und eignet sich daher für Umgebungen mit hohen Temperaturen.

Welche Gate-Antriebsaspekte sind für Steuerkreise erforderlich?

Die maximale Gate-Source-Nennleistung beträgt ±20 V

sollten Gate-Drive-Schaltkreise Ausbrüche innerhalb dieses Bereichs begrenzen und bei der Dimensionierung der Treiber die typische Gate-Ladung von 56 nC berücksichtigen.

Gibt es spezifische Einschränkungen bei der thermischen Leistung?

Mit einer maximalen Verlustleistung von 136 W muss das Wärmemanagement Leitungswege und Kühlkörper auf Leiterplattenebene berücksichtigen, um die Sperrschichtgrenzen zu halten.