Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 30 A 25 W, 3-Pin TO-220SIS

RS Best.-Nr.:: 827-6179P
Herst. Teile-Nr.:: TK30A06N1,S4X(S
Marke:: Toshiba

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 30 A 25 W, 3-Pin TO-220SIS

Nicht mehr im Sortiment

RS Best.-Nr.:: 827-6179P
Herst. Teile-Nr.:: TK30A06N1,S4X(S
Marke:: Toshiba

TK30A06N1, MOSFET Silicon N-Channel MOS (U-MOS VIII-H)
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	30 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Serie	TK
Gehäusegröße	TO-220SIS
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	15 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Verlustleistung max.	25 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4.5mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	10mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	16 nC @ 10 V
Höhe	15mm

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 30 A 25 W, 3-Pin TO-220SIS

MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba