Toshiba TK N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 7 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 827-6274P
Herst. Teile-Nr.:: TK7P60W,RVQ(S
Marke:: Toshiba

Toshiba TK N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 7 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Nicht mehr im Sortiment

RS Best.-Nr.:: 827-6274P
Herst. Teile-Nr.:: TK7P60W,RVQ(S
Marke:: Toshiba

TK7P60W, MOSFET Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	7 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Serie	TK
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	600 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.7V
Verlustleistung max.	60 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	15 nC @ 10 V
Länge	6.6mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	6.1mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	2.3mm

Toshiba TK N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 7 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

MOSFET-N-Kanal, Serie TK6 und TK7, Toshiba