STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 STW10N95K5 N-Kanal, THT MOSFET 950 V / 8 A 130 W, 3-Pin TO-247

Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

8 A

Drain-Source-Spannung max.

950 V

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

800 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

130 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

5.15mm

Länge

15.75mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

22 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Serie

MDmesh K5, SuperMESH5

Höhe

20.15mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C