Teile-Nr.

Microchip LND150 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 500 V / 30 mA 1.6 W, 4-Pin TO-243

RS Best.-Nr.:: 829-3253P
Herst. Teile-Nr.:: LND150N8-G
Marke:: Microchip

Microchip LND150 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 500 V / 30 mA 1.6 W, 4-Pin TO-243

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Microchip
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	30mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	500V
	Serie	LND150
	Gehäusegröße	TO-243
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1kΩ
	Channel-Modus	Entleerung
	Maximale Verlustleistung Pd	1.6W
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	4.6mm
	Höhe	1.6mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Microchip
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 500V
	Serie LND150
	Gehäusegröße TO-243
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1kΩ
	Channel-Modus Entleerung
	Maximale Verlustleistung Pd 1.6W
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 4.6mm
	Höhe 1.6mm
	Automobilstandard Nein

MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus

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Merkmale

Hohe Eingangsimpedanz

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Frei von sekundärer Durchschlagsspannung

Niedriger Eingangs- und Leckstrom

Typische Anwendungen:

Schließerschalter

Halbleiterrelais

Wandler

Lineare Verstärker

Konstantstrom-Quellen

Netzteilschaltungen

Telekommunikation

MOSFET-Transistoren, Microchip

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