STMicroelectronics PD85050S N-Kanal, SMD MOSFET 28 V / 8 A 105 W, 10-Pin PowerSO
- RS Best.-Nr.:
- 829-7013P
- Herst. Teile-Nr.:
- PD85050S
- Marke:
- STMicroelectronics
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 829-7013P
- Herst. Teile-Nr.:
- PD85050S
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 8 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 28 V | |
| Gehäusegröße | PowerSO | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 10 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 105 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -10 V, +10 V | |
| Länge | 15.65mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 9.6mm | |
| Höhe | 3.6mm | |
| Leistungsverstärkung | 12 dB | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 8 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 28 V | ||
Gehäusegröße PowerSO | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 10 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 105 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -10 V, +10 V | ||
Länge 15.65mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 9.6mm | ||
Höhe 3.6mm | ||
Leistungsverstärkung 12 dB | ||
HF-MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Die HF-Transistoren sind LDMOS-geeignet für L-Band-Satelliten-Uplinks und DMOS-Leistungstransistoren in Anwendungen von 1 MHz bis 2 GHz.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics