Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 28 A 68 W, 3-Pin IRLR2705TRPBF TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 830-3348P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR2705TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 28A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 28A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.39mm | ||
Breite 6.22 mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 28A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 68W maximale Verlustleistung - IRLR2705TRPBF
Dieser MOSFET wurde für eine hervorragende Leistung in einer Reihe von elektronischen Anwendungen entwickelt. Er nutzt die modernen Fortschritte in der MOSFET-Technologie und spielt eine wichtige Rolle bei Schaltanwendungen, bei denen Effizienz und Zuverlässigkeit entscheidend sind. Seine besonderen Eigenschaften machen ihn zu einer hervorragenden Option für Automatisierungs- und elektrische Systeme, die eine hohe Strombelastbarkeit und einen robusten Betrieb erfordern.
Eigenschaften und Vorteile
• Hoher Dauerableitungsstrom von 28 A verbessert die Leistung
• Maximale Nennspannung von 55 V erhöht die Schaltfähigkeit
• Niedriger Einschaltwiderstand von 65 mΩ minimiert den Energieverlust
• Funktioniert effektiv bei Temperaturen von bis zu +175°C
• Entwickelt für die Oberflächenmontage in einem DPAK TO-252-Gehäuse für Effizienz
• Einzelne Enhancement-Mode-Konfiguration erleichtert das Schaltungsdesign
Anwendungsbereich
• Geeignet für das Energiemanagement in der industriellen Automatisierung
• Ideal für energieeffizientes Schalten in Stromversorgungen
• Häufig in Motorsteuerungsschaltungen verwendet
• Geeignet für den Einsatz in DC-DC-Wandlern
Wie hoch ist die maximale Verlustleistung für dieses Bauteil?
Die maximale Verlustleistung beträgt 68 W und ermöglicht ein effizientes Wärmemanagement während des Betriebs.
Wie wirkt sich der Betriebstemperaturbereich auf die Nutzung aus?
Das Gerät arbeitet effektiv zwischen -55°C und +175°C und ist damit für verschiedene Umgebungsbedingungen geeignet.
Gibt es eine spezielle Installationsmethode für diesen MOSFET?
Das Gerät ist für die Oberflächenmontage mit Techniken wie Löten ausgelegt, um zuverlässige Verbindungen zu gewährleisten.
Kann dieser MOSFET parallel zu anderen verwendet werden?
Ja, er kann in parallelen Konfigurationen verwendet werden, aber ein angemessenes Wärmemanagement ist unerlässlich, um eine Überhitzung zu vermeiden.
Welche Art von Torantrieb wird für eine optimale Leistung empfohlen?
Für ein effizientes Schalten wird ein Logic-Level-Gate-Treiber empfohlen, der sicherstellt, dass der Baustein innerhalb seiner spezifizierten Schwellenwerte arbeitet.