Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 42 A 110 W, 3-Pin IRLR2905TRPBF TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 830-3357P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR2905TRPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 40 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
31,52 €
(ohne MwSt.)
37,52 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 1.500 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 40 - 80 | 0,788 € |
| 100 - 180 | 0,738 € |
| 200 - 480 | 0,687 € |
| 500 + | 0,637 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 830-3357P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR2905TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 42A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 42A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 6.22 mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.39mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon
Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.