Teile-Nr.
Elektronische Bauelemente, Stromversorgung und Steckverbinder
Elektromechanik, Automation und Kabel
Mechanikkomponenten, Werkzeug- und Laborbedarf
IT, Messtechnik, Schutz- und Sicherheitsprodukte

HEXFET IRLR2905TRPBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 42 A, 110 W, DPAK (TO-252) 3-Pin

RS Best.-Nr.:
8303357P
Herst. Teile-Nr.:
IRLR2905TRPBF
Marke:
Infineon
Infineon

Voraussichtlich ab 09.12.2021 verfügbar.
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IRLR2905TRPBF
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Rechtliche Anforderungen


Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon




Technische Daten

EigenschaftWert
Channel-TypN
Dauer-Drainstrom max.42 A
Drain-Source-Spannung max.55 V
GehäusegrößeDPAK (TO-252)
Montage-TypSMD
Pinanzahl3
Drain-Source-Widerstand max.40 mΩ
Channel-ModusEnhancement
Gate-Schwellenspannung max.2V
Gate-Schwellenspannung min.1V
Verlustleistung max.110 W
Transistor-KonfigurationEinfach
Gate-Source Spannung max.–16 V, +16 V
Anzahl der Elemente pro Chip1
Betriebstemperatur min.-55 °C
Breite6.22mm
Transistor-WerkstoffSi
Länge6.73mm
Höhe2.39mm
Betriebstemperatur max.+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs48 nC @ 5 V
SerieHEXFET
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