HEXFET IRLR2905TRPBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 42 A, 110 W, DPAK (TO-252) 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 830-3357P
  • Herst. Teile-Nr. IRLR2905TRPBF
  • Marke Infineon
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 42 A
Drain-Source-Spannung max. 55 V
Drain-Source-Widerstand max. 40 mΩ
Gate-Schwellenspannung max. 2V
Gate-Schwellenspannung min. 1V
Gate-Source Spannung max. –16 V, +16 V
Gehäusegröße DPAK (TO-252)
Montage-Typ SMD
Transistor-Konfiguration Einfach
Pinanzahl 3
Channel-Modus Enhancement
Verlustleistung max. 110 W
Betriebstemperatur max. +175 °C
Höhe 2.39mm
Serie HEXFET
Länge 6.73mm
Transistor-Werkstoff Si
Breite 6.22mm
Betriebstemperatur min. -55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 48 nC @ 5 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
1300 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (auf Rolle) Bestellmengen unter 150 Stück auf Gurtabschnitt
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Pro Stück
100 - 380
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400 - 980
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1000 +
0,442 €
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