Infineon HEXFET IRLR7843PBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 161 A 140 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
830-3388
Herst. Teile-Nr.:
IRLR7843PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

161 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.3V

Gate-Schwellenspannung min.

1.4V

Verlustleistung max.

140 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

34 nC @ 4,5 V

Breite

6.22mm

Länge

6.73mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Höhe

2.39mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

HEXFET

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 161A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 140W maximale Verlustleistung - IRLR7843TRPBF


Dieser MOSFET ist auf Hochleistungsanwendungen im Elektro- und Elektronikbereich zugeschnitten und eignet sich besonders für den Automobil- und Industriebedarf. Seine HEXFET-Technologie sorgt für einen beeindruckenden Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit, wodurch er sich ideal für synchrone Hochfrequenz-Abwärtswandler und isolierte DC/DC-Wandler eignet. Das Gerät steuert effektiv die Verlustleistung und steigert so die Leistung elektronischer Systeme.

Eigenschaften und Vorteile


• Extrem niedriger RDS(on) optimiert Verlustleistung und Effizienz

• Hohe Dauerstrombelastbarkeit unterstützt intensive Anwendungen

• Konzipiert für hohe Betriebstemperaturen zur Gewährleistung der Leistung

• Bleifreie Konstruktion erfüllt umweltbewusste Designstandards

• Niedrige Gate-Ladung verbessert Schaltverhalten in Schaltungen

Anwendungsbereich


• Einsatz in synchronen Hochfrequenz-Abwärtswandlern

• Eingesetzt in isolierten DC-DC-Wandlern für Telekommunikationssysteme

• Dient der Energieverwaltung in Kraftfahrzeugen

• Geeignet für industrielle Stromversorgungen, die einen höheren Wirkungsgrad erfordern

• Ideal für die Leistungsregelung in Computerprozessoren

Was sind die typischen thermischen Leistungsmerkmale?


Die maximale Betriebstemperatur beträgt +175°C mit einem Wärmewiderstand von 50°C/W von der Sperrschicht bis zur Umgebung, was eine effektive Leistung in thermischen Umgebungen gewährleistet.

Wie wirkt sich der niedrige RDS(on) auf das Gesamtdesign der Schaltung aus?


Ein niedriger RDS(on) reduziert die Leitungsverluste, was zu einem verbesserten Wirkungsgrad unter unterschiedlichen Lastbedingungen führt, was für Hochleistungsdesigns entscheidend ist.

Kann es Impulsströme effektiv verarbeiten?


Ja, er kann gepulste Ableitströme von bis zu 620 A aufnehmen, was die Betriebssicherheit bei dynamischen Lasten gewährleistet.

Welche Befestigungsmethoden sind mit dieser Komponente kompatibel?


Als oberflächenmontiertes Bauteil im DPAK-Gehäuse ist es für automatisierte Montageprozesse geeignet.

Ist es für den Einsatz im Automobilbereich geeignet?


Ja, seine Spezifikationen, einschließlich einer maximalen Drain-Source-Spannung von 30 V, eignen sich für Kfz-Stromversorgungssysteme.