Infineon HEXFET IRF5806TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4 A 2 W, 6-Pin TSOP
- RS Best.-Nr.:
- 830-3509
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF5806TRPBF
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 830-3509
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF5806TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 4 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 147 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.45V | |
| Verlustleistung max. | 2 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 3.1mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 8,3 nC @ 4,5 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 1.7mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Serie | HEXFET | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 4 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 147 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.45V | ||
Verlustleistung max. 2 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 3.1mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 8,3 nC @ 4,5 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 1.7mm | ||
Höhe 1mm | ||
Serie HEXFET | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
- Ursprungsland:
- MY