Infineon HEXFET IRF2804STRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 320 A 330 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
831-2799
Herst. Teile-Nr.:
IRF2804STRL7PP
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

320 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand max.

1,6 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

330 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

170 nC

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.5mm

Breite

10.05mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

HEXFET

Höhe

4.55mm

Ursprungsland:
MX