Infineon HEXFET IRF6201TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 27 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
831-2843
Herst. Teile-Nr.:
IRF6201TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

27 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

SOIC

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

2,7 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.1V

Gate-Schwellenspannung min.

0.5V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

5mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

130 nC @ 10 V

Breite

4mm

Transistor-Werkstoff

Si

Serie

HEXFET

Höhe

1.5mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN