onsemi N-Kanal Dual, SMD MOSFET 450 V / 700 mA 1,6 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 842-7784
- Herst. Teile-Nr.:
- FW276-TL-2H
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- Herst. Teile-Nr.:
- FW276-TL-2H
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- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 700 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 450 V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 12,1 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Verlustleistung max. | 1,6 W | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 3,7 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 3.9mm | |
| Länge | 4.9mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 1.375mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 700 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 450 V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 12,1 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Verlustleistung max. 1,6 W | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 3,7 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 3.9mm | ||
Länge 4.9mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 1.375mm | ||