Infineon OptiMOS T IPB70N10S3L12ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 70 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
857-4495
Herst. Teile-Nr.:
IPB70N10S3L12ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

70 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

15,8 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.4V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

125 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

60 nC @ 10 V

Länge

10mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Breite

9.25mm

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Serie

OptiMOS T

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

4.4mm

RoHS Status: Ausgenommen